ייצור סיליקון טוהר גבוה (למשל, בדרגה סולארית או בדרגה אלקטרונית) דורש זיקוק סיליקון בדרגה מתכתי (MG-SI, ~ 98-99% טוהר) באמצעות תהליכי טיהור מתקדמים. שיטות המפתח כוללות:
1. טיהור הידרומטלורגי (שטיפת חומצה)
תַהֲלִיך:
Mg-Si כתוש מטופל בתערובת של חומצות (למשל, HCl, HF או H₂So₄) כדי להמיס זיהומים (Fe, Al, Ca וכו ').
כורים עמידים בפני חומצה משמשים כדי למנוע זיהום.
תגובות:
Fe +2 hcl → fecl 2+ h2 ↑ Fe +2 hcl → fecl2+h2 ↑
תוֹצָאָה:מסיר ~ 90% מהזיהומים המתכתיים, ומעלה את הטוהר ל ~ 99.9%.
2. התמצקות כיוונית
עִקָרוֹן:יזומים מתרכזים בשלב המותך במהלך קירור מבוקר.
תַהֲלִיך:
סיליקון מותך מקורר לאט מקצה אחד, ומאלץ זיהומים לנדוד לראש או לקצוות.
החלק המרכזי המטוהר נחתך ונעשה שימוש חוזר.
יְעִילוּת:מפחית את זיהומים בורון (ב) וזרחן (P) לרמות חלקים למיליון (PPM).
3. זיקוק ואקום
תַהֲלִיך:
סיליקון מותך מחומם תחת ואקום כדי להתאדות זיהומים נדיפים (למשל, AL, CA, MG).
תחמוצות נדיפות (למשל, SiO) עשויות גם להיווצר ולברוח.
יישומים:יעיל להסרת מתכות וגזים קלים.
4. זיקוק אזור (שיטת Zone Zone)
עִקָרוֹן:אזור מותך מקומי עובר דרך מוט סיליקון, הנושא איתו זיהומים.
תַהֲלִיך:
מוט סיליקון פולי-קריסטלי טוהר גבוה מחומם באמצעות סלילי Radiofrequecire (RF).
מעברים חוזרים ונשנים יוצרים סיליקון מונוקריסטלי-טהור במיוחד.
טוֹהַר: Achieves >99.9999% (טוהר 6N עד 11N למוליכים למחצה).
5. תהליך סימנס (תצהיר אדי כימי, CVD)
מַטָרָה:מייצר פוליסיליקון לתאים סולאריים ואלקטרוניקה.
צעדים:
כלור:Mg-Si מגיב עם HCl ליצירת Trichlorosilane (Sihcl₃):
Si +3 hcl → sihcl 3+ h2si +3 hcl → sihcl3+h2
זִקוּק:SIHCL₃ מטוהר באמצעות זיקוק שבר.
הִתפָּרְקוּת:Sihcl₃ טוהר מתפרק על מוטות סיליקון מחוממים (~ 1,100 מעלות):
2sihcl3 → 2si +2 hcl+cl22sihcl3 → 2si +2 hcl+cl2
תְפוּקָה:Polysilicon אולטרה-טהור (99.9999999%, 9n).
6. הגנת אלקטרור
תַהֲלִיך:
סיליקון טמא משמש כאנודה באלקטרוליט מלח מותך (למשל, cacl₂).
מרבצי סיליקון טהורים על הקתודה באמצעות אלקטרוליזה.
יִתרוֹן:יעיל להסרת בורון וזרחן.
7. טיפול סיגים
תַהֲלִיך:סיליקון מותך מעורבב עם סיגים (למשל, CAO-SiO₂) לקלוט זיהומים.
מַנגָנוֹן:זיהומים (למשל, B, P) מחלקת לשלב הסיגים עקב זיקה כימית.
אתגרי מפתח בטיהור הסיליקון:
הסרת בורון וזרחן:אלמנטים אלה פעילים באופן חשמלי ומשפילים את ביצועי המוליכים למחצה.
עוצמת אנרגיה:תהליכים כמו שיטת סימנס דורשים אנרגיה משמעותית ותשתיות יקרות.
עלות לעומת סחר טוהר:טוהר גבוה יותר (למשל, בדרגה אלקטרונית) דורש משאבים אקספוננציאליים יותר.
יישומים המבוססים על רמות טוהר:
| צִיוּן | טוֹהַר | יישומים |
|---|---|---|
| מטלורגי (mg-si) | 98–99% | סגסוגות אלומיניום, סיליקונים, כימיקלים |
| כיתה סולארית (SOG-SI) | 99.9999% (6N) | תאים סולאריים פוטו -וולטאיים |
| כיתה אלקטרונית (EG-SI) | 99.9999999% (9N) | מוליכים למחצה, מיקרו -שבבים |
שיקולים סביבתיים:
שטיפת חומצה מייצרת פסולת מסוכנת (למשל, HF), הדורשת נטרול וסילוק בטוח.
תהליך סימנס מייצר תוצרי לוואי כלור, המחייבים מערכות מיחזור לולאה סגורה.
חידושים:
כורי מיטה נוזלים (FBR):אלטרנטיבה בעלות נמוכה יותר לתהליך סימנס לסיליקון בדרגה סולארית.
סיליקון מטלורגי משודרג (UMG-SI):משלב מיצוק שטיפה, סיבוב ומיצוי כיווני ליישומים סולאריים בעלויות מופחתות.







